В России создали первую отечественную установку для получения кристаллов нитрида галлия на 200-миллиметровых кремниевых подложках. В разработке приняли участие специалисты из АО «НИИТМ» (входит в ГК «Элемент»), НТЦ микроэлектроники РАН (г. Санкт-Петербург) и ООО «Софт-Импакт».

По словам ученых, разработка даст возможность локализовать один из важных этапов в производстве силовой и сверхвысокочастотной микроэлектроники. К таким устройствам, в частности, относятся зарядные устройства как для бытовой техники (телефоны, колонки, ноутбуки и т.д.), так и для крупного промышленного оборудования (электромобили, станки, беспилотники и др.).

Директор направления электронного машиностроения ГК «Элемент» Юлия Сухорослова рассказала:

«Характеристики нитрида галлия позволяют применять его в составе самых мощных устройств. Например, в управляющей микроэлектронике для быстрых зарядных станций. Благодаря стойкости полученных компонентов восполнение энергии происходит быстрее, чем с помощью современных технологий».

Она отметила, что в настоящее время рынок нитрид-галлиевых компонентов только формируется, однако его перспективы можно сопоставить с масштабами оборотов кремниевой электроники.



Источник https://iz.ru/